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电子元器件详细资料 » IC[17411] » ECH8602M-TL-H
型号:ECH8602M-TL-H类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SMD,扁平引线描述:MOSFET N-CH 30V 6A ECH8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH 30V 6A ECH8
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C30 毫欧 @ 3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222-
闸电荷(Qg)0a0Vgs7.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商设备封装8-ECH
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市金亿泰电子有限公司郑086-755-83252273
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ECH8602M-TL-H相关型号

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